Интегральные устройства радиоэлектроники. Элементы...

Main
Интегральные устройства...

Интегральные устройства радиоэлектроники. Элементы кремниевых биполярных ИС

Романовский М. Н.

0 / 0

Sukakah anda buku ini?

Bagaimana kualiti fail ini?

Muat turun buku untuk menilai kualitinya

Bagaimana kualiti fail yang dimuat turun?

Penerbit:

ТУСУР

Bahasa:

russian

Halaman:

15

Fail:

PDF, 270 KB

IPFS:

,

russian0

Baca dalam Talian

Penukaran menjadi sedang dijalankan

Penukaran menjadi gagal

Mungkin anda berminat

Музылева И. В. — Электротехническое и конструкционное материаловедение. Полупроводниковые материалы и их применение

Николай Спиридонович Спиридонов — Дрейфовые транзисторы

Брук В. — Производство полупроводниковых приборов

коллектив авторов. — Кремниевые планарные транзисторы

Агаханян Т. — Основы транзисторной электроники

Курносов А. — Технология производства полупроводниковых приборов

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства

Васильев Е.В., Раевский Г.П., Попова Т.А., Черноверская В.В. — Физические основы микро- и наноэлектроники: Методические указания по выполнению лабораторных работ

Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. — Справочное пособие по конструированию микросхем

Пономарев Михаил Федорович — Конструкция и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА

Бочаров Л.Н. — Эквивалентные схемы и параметры полупроводниковых приборов

Лебедев О. Т. — Конструирование и расчет электронной аппаратуры на основе интегральных микросхем

Трутко А.Ф. — Методы расчета транзисторов

Ю. И. Дикарев — Конструирование и расчет пассивных элементов полупроводниковых микросхем

О. В. Семенова. — Проектирование и технология электронной компонентной базы. Конструирование и технология интегральных схем

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 2. Элементы интегральных схем и функциональные устройства

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Троян П.Е. — Твердотельная электроника

Орлов Г.А., Токарев А.К. — Полупроводниковые элементы электронных устройств

Зятьков И.И., Миронов В.А. и др. — Расчет полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем

Зятьков И.И., Юрченко Е.П. — Моделирование технологии формирования элементов интегральных схем

Митяшев Б.Н. — Электронные приборы

Барсуков С.Н., Кравчук А.С. — Элементная база радиоэлектроники. Часть 2. Биполярные транзисторы. Тиристоры. Учеб. пособие

Базылев В.К. — Расчёт биполярных транзисторов

Джафаров Т.Д. — Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др. — Процессы Микро и Нанотехнологии

Захарова И.Б. — Физические основы микро - и нанотехнологий

Белова Г.Ф., Булушева М.А., Попов В.Д. — Проектирование интегральных микросхем

Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. — Атомная диффузия в полупроводниковых структурах

Тилл У.С., Лаксон Д.Т. — Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление

Быкадырова Галина Владимировна, Ткачев Александр Юрьевич, Бормонотов Евгений Николаевич, Битюцкая Лариса Александровна — Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники

Ситникова С. В., Арефьев А. С. — Методическая разработка для практических занятий и самостоятельной работы по учебной дисциплине «Физические основы электроники»

Сост. С.А. Кривелевич — Проектирование элементов биполярных интегральных схем. Аналитические методы: Метод указания по выполнению расчетных заданий

Троян П. Е. — Твердотельная электроника

Давыдов В. Н. — Твердотельная электроника

Istilah utama

перехода

диффузии

транзистора

акцепторной

переходов

коллекторного

примесей

структуры

элементов

эмиттерного

базового

изолирующего

качестве

концентрации

определяется

сопротивление

донорной

значения

изоляции

напряжения

определить

процесса

структура

элементы

акцепторов

биполярных

диффузионного

диффузионный

диффузию

залегания

концентрация

напряжение

поверхности

разгонка

распределение